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Investigan en la Politcnica de Valencia nuevos materiales para mejorar la velocidad en Internet

06/03/2014


El proyecto busca integrar titanato de bario y xido de vanadio para fabricar dispositivos fotnicos a gran escala y bajo coste.

"La tecnologa desarrollada ser til en el mbito de las telecomunicaciones y podr abrir oportunidades en sectores como el del Espacio", dice el coordinador.

En el Espacio, "permitira reducir el peso de los equipos y mejorar las velocidades de operacin".

Cientficos de la Universitat Politcnica de Valncia (UPV) lideran un proyecto de investigacin que pretende integrar nuevos materiales en la tecnologa fotnica de silicio para mejorar el rendimiento de las telecomunicaciones e incrementar notablemente la velocidad de transmisin a travs de internet. As lo ha asegurado Pablo Sanchis, investigador del Centro de Tecnologa Nanofotnica de la UPV y coordinador del proyecto europeo de investigacin Sitoga, que arranc el pasado mes de diciembre y est financiado por el VII Programa Marco de I+D+i de la Unin Europea.

El objetivo de este proyecto, que tiene una duracin de tres aos, es la integracin por primera vez de dos nuevos materiales titanato de bario y xido de vanadio en la tecnologa fotnica de silicio para la fabricacin de dispositivos fotnicos a gran escala y bajo coste.

Estos nuevos materiales permitiran mejorar prestaciones claves en dispositivos optoelectrnicos, tales como el ancho de banda y el consumo de potencia, claves en los sistemas de comunicaciones.

Este proyecto de investigacin que lidera el Centro de Tecnologa Nanofotnica de la Universitat Politcnica de Valncia permitir, entre otras ventajas, incrementar notablemente la velocidad de transmisin de Internet.

Tambin en el Espacio
"La tecnologa desarrollada ser til en el mbito de las telecomunicaciones y las comunicaciones de datos y podr abrir nuevas oportunidades en otros sectores como el de Espacio", ha indicado Pablo Sanchis.

La integracin de los materiales seleccionados en este proyecto permitir aumentar las capacidades de la tecnologa fotnica de silicio, mejorando prestaciones claves tales como el ancho de banda de operacin y el consumo de potencia de los dispositivos optoelectrnicos.

En el proyecto se desarrollar un transceptor de comunicaciones con una velocidad de operacin de 40 gigabit por segundo (Gbit/s) y una matriz de conmutacin "con un consumo de potencia del orden de los milivatios".

"Nuestro objetivo es integrar estos materiales en las lneas de fabricacin basadas en la tecnologa fotnica de silicio", ha sealado Sanchis, que ha indicado que uno de los mercados con ms potencial ser el de transceptores utilizados para las comunicaciones de datos.

En el sector Espacio, segn ha agregado, "permitira reducir el peso de los equipos y mejorar las velocidades de operacin de las comunicaciones por satlite".

Junto a la UPV participan la multinacional informtica IBM, la pyme valenciana Das Photonics, el Centro Nacional de Investigacin Cientfica francs (CNRS), la Universidad Catlica de Leuven y el Instituto IHP- Innovations for High Performance Microelectronics alemn.

(20minutos.es)



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